然后在该绝缘层上沉积多晶硅，再次施加光致抗蚀剂，并且晶片通过掩模暴露于光，再次剥离曝光的光致抗蚀剂。

现在，这两层多晶硅和薄氧化层被蚀刻掉。

第3步：掺杂工艺

这是将不纯原子引入暴露的硅中的过程，离子注入机用于将杂质诱导原子引入硅中，这只改变了暴露硅的导电率一微米。剥离光致抗蚀剂残留物后，施加另一氧化层，并且晶圆将施加光致抗蚀剂的另一循环。

通过掩模曝光，添加剥离接触孔以允许导电层的接触和互连能够集成到晶片中，这是通过在晶片和专用机器上沉积各种金属合金来实现的，这提高了微芯片的效率。

第四步：平滑精整

在掩模上施加光刻胶，使得未暴露的跳闸在蚀刻工艺之后保持原样，这为底层提供了一个接触点，使绝缘层具有光滑的表面。

这需要一种化学机械工艺，用于以微米精度抛光多余的材料。